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    英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統成本

    發布時間:2018-12-27    來源:弘威電子    瀏覽:2959

    英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求,并提高可靠性和降低系統成本。

    電源轉換方案的開關頻率可達到目前所用開關頻率的三倍或以上。還能帶來諸多益處,如減少磁性元件和系統外殼所用的銅和鋁兩種材料的用量,便于打造更小、更輕的系統,從而減少運輸工作量,并且更便于安裝。新解決方案有助于節能的特點由電源轉換設計人員來實現。這些應用的性能、效率和系統靈活性也將提升至全面層面。

    ? ? 這款全新的MOSFET融匯了Infineon在SiC領域多年的開發經驗,基于先進的溝槽半導體工藝,代表著Infineon CoolSiC產品家族的最新發展。首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的導通電阻(RDS(ON))額定值為45mΩ。它們將采用3引腳和4引腳TO-247封裝,4引腳封裝有一個額外的源極連接端子(Kelvin),作為門極驅動的信號管腳,以消除由于源極電感引起的壓降的影響,這可以進一步降低開關損耗,特別是在更高開關頻率時。

    ? ? 當前針對光伏逆變器、不間斷電源(UPS)或充電/儲能系統等應用的系統改進,此后可將其范圍擴大到工業變頻器。

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